首頁>外文期刊>電子學、通信>Solid-State Electronics

Solid-State Electronics

Solid-State Electronics

SCIEICA

中文名稱：固態電子

ISSN：0038-1101
出版周期：

發文量：148

期刊論文

年度選擇

1999
- 第1期
- 第10期
- 第11期
- 第12期
- 第3期
- 第4期
- 第5期
- 第6期
- 第8期
- 第9期
1998
- 第1期
- 第10期
- 第12期
- 第2期
- 第3期
- 第6期
- 第7a8期
- 第9期

更多>>

全選（0）

1.A silicon heterojunction bipolar transistor with an amorphous silicon emitter and a crystalline silicon emitter

機譯：具有非晶硅發射極和晶體硅發射極的硅異質結雙極晶體管
- 作者：David M. Garner;Gehan A.J. Amaratunga
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
2.A semi-empirical simulation model for polycrystalline thin film transistors

機譯：多晶薄膜晶體管的半經驗仿真模型
- 作者：S.W. Wright;M.J. Lee;P.K. Roberts
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
- Semiconductor device modelling;
- Thin film transistors;
- Circuit simulaiton;
3.A review of narrow-channel effects for ST I MOSFET's: A difference between surface- and buried-channel cases

機譯：ST I MOSFET的窄溝道效應的綜述：表面溝道和掩埋溝道情況之間的差異
- 作者：naoyuki Shigyo;Takayuki Hiraoka
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
4.On the subthreshold swing and short channel effects in single and double gate deep submicron SOI-MOSFETs

機譯：單柵和雙柵深亞微米SOI-MOSFET的亞閾值擺幅和短溝道效應
- 作者：E. Rauly;O. Potavin;F. Balestra
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
5.Nitrogen in ultra-thin gate oxides: its profile and functions

機譯：超薄柵氧化物中的氮：其輪廓和功能
- 作者：Chen Shou Mian;Ip Suk-Yin Flora
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
- Nitrided oxide;
- Gate oxide;
- Rapid thermal process;
6.Reliability considerations in scaled SONOS nonvolatile memory devices

機譯：規?；疭ONOS非易失性存儲設備中的可靠性注意事項
- 作者：Yang (Larry) Yang;Ansha Purwar;Marvin H. White
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
- Nonvolatile semiconductor memory;
- SONOS;
- EEPROM;
7.Improvement of oxynitride reliability by two-step N_2O nitridation

機譯：通過兩步N_2O氮化提高氮氧化物的可靠性
- 作者：Kuei-Shu Chang-Liao;Jang-Ming Ku
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
8.First demonstration of the gain switching characteristics of an AlGaAs-GaAs V-grooved quantum wire laser

機譯：AlGaAs-GaAs V槽量子線激光器的增益切換特性的首次演示
- 作者：T.G. Kim;Y. Suzuki;M. Shimiz
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
- V-grooved quantum wires;
- Picosecond opticla pulses;
- Stimulated emission;
9.Fabrication and characterisation of double heterojunction In_0.48Ga_0.52P/In_0.20Ga_0.80As high electron mobility transistors grown by solid-source molecular beam epitaxy

機譯：固體源分子束外延生長的雙異質結In_0.48Ga_0.52P / In_0.20Ga_0.80As高電子遷移率晶體管的制備與表征
- 作者：S.F. Yoon;B.P. Gay;H.Q. Zheng
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第11期
10.Breakdown characteristics of MOVPE grown Si-doped GaAs Schottky diodes

機譯：MOVPE生長的Si摻雜GaAs肖特基二極管的擊穿特性
- 作者：M.K. Hudait;S.B. Krupanidhi
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
11.An explicit rederivation of Reimbold's 1/f trapping noise theory in Si nMOSFETs at weak inversion

機譯：在弱反轉下在Si nMOSFET中Reimbold的1 / f陷獲噪聲理論的顯式推導
- 作者：Chan Hyeong Park;Young June Park
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
12.Light-emitting p~＋nn~＋-heterodiode with an additional nn-heterojunction in the n-base

機譯：發光的p?+ nn?+-異質二極管在n基中具有額外的nn-異質結
- 作者：Z.S. Gribnikov;V.V. Mitin
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
13.Coupling coefficients in double quantum well systems

機譯：雙量子阱系統中的耦合系數
- 作者：Rober Velasquez;Ray Viana Sampaio
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
14.Analysis of transition region and accumulation layer effect in the subthreshold slope in SOI nMOSFETs and their influences on the interface trap density extraction

機譯：SOI nMOSFET亞閾值斜率中的過渡區和累積層效應及其對界面陷阱密度提取的影響
- 作者：Victor Sonnenberg;Joao Antonio Martino
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
15.Temporal responses of a symmetric self-electro-optic effect device based on Wannier-Stark localization

機譯：基于Wannier-Stark定位的對稱自電光效應裝置的時間響應
- 作者：Kenji Kawashima;Kenzo Fujiwara;Makoto Hosoda
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
16.Selective deposition of a thin copper film for metallization on silicon by the chemical bath process

機譯：通過化學浴工藝選擇性沉積一層薄銅膜以在硅上進行金屬化
- 作者：Sunil Dhingra;Rajnish Sharma;P.J. George
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
17.Procedure for determining diode parameters at very low forward voltage

機譯：在非常低的正向電壓下確定二極管參數的步驟
- 作者：J.C. Ranuarez;F.J. Garcia Sanchez;A. Ortiz-Conde
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
18.On the high order numerical calculation schemes for the Wigner t transport equation

機譯：關于Wigner t輸運方程的高階數值計算方案
- 作者：Kyoung-Youm Kim;Byoungho Lee
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
19.MOCVD growth of strained multiple quantum well structure for 1.3μ m InAsP/InP laser diodes

機譯：1.3μmInAsP / InP激光二極管的應變多量子阱結構的MOCVD生長
- 作者：Chong-Yi Lee;Meng-Chyi Wu;hung-Pin Shiao
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
20.The separation of generation lifetimes of Si and SiGe using capacitance-transient measurements on MOS capacitors formed by plasma anodisation of Si:Si_0.9Ge_0.1:Si substrates

機譯：在通過Si：Si_0.9Ge_0.1：Si襯底的等離子陽極氧化形成的MOS電容器上使用電容瞬態測量來分離Si和SiGe的產生壽命
- 作者：L.S. Riley;S. Hall;J.M. Bonar
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
- Chemical vapour deposition;
- Plasma anodisation;
- Silicon;
- Silicon germanium;
21.The impact of bandgap offset distribution between conduction and valence bands in Si-based graded bandgap HBT's

機譯：硅基梯度帶隙HBT中導帶和價帶之間的帶隙偏移分布的影響
- 作者：Guofu Niu;John D. Cressler
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
22.On 1/f noise in semiconductor devices

機譯：半導體器件的1 / f噪聲
- 作者：J.I. Lee;J. Brini;C.A. Dimitriadis
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
23.Effect of the Ge-molefraction on the subthreshold slope and leakage current of vertical Si/Si_1xGe_x MOSFETs

機譯：Ge分子分數對垂直Si / Si_1xGe_x MOSFET亞閾值斜率和漏電流的影響
- 作者：N. Collaert;K. De Meyer
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
24.Large signal modelling of GaAs/AlGaAs HBT's with separation of the surface recombination current

機譯：分離表面復合電流的GaAs / AlGaAs HBT大信號建模
- 作者：Lars Bengtsson;Charlotta Hedenas;Dale Dawson
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
- Heterojunction bipolar transistor;
- GaAs;
- Microwaves;
- Large-signal model;
25.Effect of trap density on the dielectric response of varistor ceramics

機譯：陷阱密度對壓敏陶瓷介電響應的影響
- 作者：G. Garcia-Belmonte;J. Bisquert;F. Fabregat-Santiago
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
- Varistor;
- Grain boundaries;
- Dielectric response;
- Semiconductor juncitns;
26.Modeling of drain leakage current in SOI pMOSFETs

機譯：SOI pMOSFET的漏極泄漏電流建模
- 作者：Sheng-Lyang Jang;Hao-Hsun Lin
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
27.Flicker noise by random walk of electrons at the interface in nonideal Schottky diodes

機譯：非理想肖特基二極管中界面處電子隨機游走的閃爍噪聲
- 作者：J.I. Lee;J. Brini;A. Chovet
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
28.Four-electron quantum dots in magnetic fields

機譯：磁場中的四電子量子點
- 作者：Wenfang Xie
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
- Electron-electron interaction;
- Quantum dot;
- Semiconductor;
29.Aluminum multiple implantation in 6H-SiC at 300 K

機譯：在300 K下以6H-SiC進行鋁的多次注入
- 作者：Lauren Ottaviani;Erwan Morvan;Marie-Lanure Locatelli
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
- Silicon carbide;
- p~＋ junction;
- Implantation;
- Amorphization;
30.Transverse probe optical lifetime measurement as a tool for in-line characterization of the fabrication process of a silicon solar cell

機譯：橫向探針光學壽命測量作為在線表征硅太陽能電池制造過程的工具
- 作者：A. Irace;L. Sirleto;G.F. Vitale
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
31.A practical device scheme for designing t he dopant profile of source/drain extension region in sub-quarter-micron p-MOSFET's

機譯：設計亞四分之一微米p-MOSFET的源/漏擴展區摻雜分布的實用設備方案
- 作者：M.H. Juang
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1999年第12期
32.NOTE: SIMULATION AND ANALYSIS OF NEGATIVE DIFFERENTIAL RESISTANCE DEVICES AND CIRCUITS BY LOAD-LINE METHOD AND PSPICE

機譯：注意：負載線法和PSPICE對負微分電阻設備和電路的仿真和分析
- 作者：The editors of Solid State Electronics
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第1期
33.ELECTRICAL CHARACTERIZATION OF Au/SiO_x-GaAs JUNCTIONS

機譯：Au / SiO_x / n-GaAs結的電學表征
- 作者：J. IVANEO;ZS. J. HORVATH;VO VAN TUYEN
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第2期
34.MOCVD GROWTH OF In_xGa_1-xAs/GaAs MULTIPLE QUANTUM WELL AND SUPERLATTICE STRUCTURES FOR OPTICLA MODULATORS

機譯：光學調制器的In_xGa_1-xAs / GaAs多量子阱和超晶格結構的MOCVD生長
- 作者：S. HASENOHRL;M. KUCERA;J. NOVAK
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第2期
35.INVITED PAPER: THE DRIFT-DIFFUSION EQUATION REVISITED

機譯：受邀論文：修正了漂移擴散方程
- 作者：FARZIN ASSAD;KAUSAR BANOO;MARK LUNDSTROM
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第3期
36.FLASMA CHARGING DAMAGE DURING OVER-ETCH TIME OF ALUMINUM

機譯：鋁的過度腐蝕時間內的陶瓷充電損壞
- 作者：HYUNGCHEOL SHIN;GEUNSOOK PARK;CHENMING HU
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第6期
37.WET CHEMICAL ETCHING OF NiF_e, NiFeCo AND NiMnSb FOR MAGNETIC DEVICE FABRICATION

機譯：NiF_e，NiFeCo和NiMnSb的濕化學刻蝕用于磁器件制造
- 作者：X. A. CAO;J. A. CABALLERO;K. B. JUNG
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第9期
38.PERTURBATION CALCULATION OF PONOR STATES IN A SPHERICAL QUANTUM DOT

機譯：球形量子點中微弱態的微擾計算
- 作者：C. BOSE;C. K. SARKAR
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第9期
39.A NUIFIED VIEW OF THE MOS-GATED THYRISTORS

機譯：晶閘管的微調視圖
- 作者：ALEX Q. HUANG
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第10期
40.THERMAL STABILITY F OHMIC CONTACTS TO InN

機譯：與InN的熱穩定性熱接觸
- 作者：S. M. DONOVAN;J. D. MACKENZIE;C. R. ABERNATHY
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第10期
41.DELECTIVELY DRY-ETCHED N~+-GaAs/AlGaAs-InGaAs DOPED-CHANNEL FETs BY USING A CHF_3+BCl_3 PLASMA

機譯：使用CHF_3 + BCl_3等離子體分別干刻N?+ -GaAs / AlGaAs / n-InGaAs摻雜溝道FET
- 作者：LI-SHYUE LAI;YI-JEN CHAN
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第10期
42.AN ANALYTICAL SUBTHRESHOLD CURRENT MODEL

機譯：解析亞閾值電流模型
- 作者：T. K. CHIANG;Y. H. WANG;M. P. HOUNG
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第10期
43.MEGAWATT SOLID-STATE ELECTRONICS

機譯：MEGAWATT固態電子
- 作者：E. R. BROWN
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第12期
44.PERROMAGNETIC SINGLE ELECTRON TRANSISTOR

機譯：永磁單電子晶體管
- 作者：KEIJI ONO;HIROSHI SHIMADA;YOUITI OOTUKA
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第7a8期
45.MAGNETOCAPACITANCE IN QUANTUM MALL REGIME WITH EXTERNAL DC CURRENT

機譯：具有外部直流電流的量子購物中心系統中的磁電容
- 作者：KENICHI OTO;HIROKI ISHIDA;SADAO TAKAOKA
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第7a8期
46.TRANSPORT CHARACTERIZATION OF GaAs QUANTUM DOTS CONNECTED WITH QUANTUM WIRES FABRICATED BY SELECTIVE AREA METALORGANIC VAPOR PHASE EPITAXY

機譯：GaAs量子點與選擇性區域金屬有機氣相相表觀聯系的量子點的傳輸表征
- 作者：K. KUMAKURA;J. MOTOHISA;T. FUKUI
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第7a8期
47.FTCHED-BACKGATE FIELD-EFFECT TRANSISTOR STRUCTURE FOR MAGNETOTUNNELING STUDY OF LOW-DIMENSIONAL ELECTRON SYSTEMS

機譯：用于低維電子系統磁隧道研究的帶背板場效應晶體管結構
- 作者：S. KISHIMOTO;Y. OHNO;F. MATSUKUR
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第7a8期
48.FAR-INFRARED EMISSION SPECTRA HOT TWO- DIMENSIONAL PLASMA IN HETEROJUNCTIONS

機譯：異質結中的遠紅外發射光譜二維等離子
- 作者：SHINICHI KATAYAMA;TAKUMA TSUCHIYA
- 期刊名稱：《Solid-State Electronics》 | 1998年第7a8期

客服郵箱：[email protected]

京公網安備：11010802029741號 ICP備案號：京ICP備15016152號-6 六維聯合信息科技 (北京) 有限公司?版權所有出版物經營許可證

客服微信
服務號

澳门三肖三码期期准精选反板块