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高純175Hf的制備

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摘要

截至目前,公開發表的175Hf可參考半衰期實驗值僅有三個,且各數據間存在一定分歧,分歧主要來源于175Hf測量源中往往伴隨著181Hf或其它干擾核素,影響半衰期測量結果.為測量175Hf半衰期,本工作制備了無181Hf和其它干擾核素的高純175Hf源.本工作采用離子濺射將純金屬Lu顆粒均勻鍍在回旋加速器的專用Cu質襯底表面，并在回旋加速器上采用15.6MeV質子束流中轟擊1小時，生成175Hf。冷卻一段時間后，使用刀片輕刮Lu靶的離子濺射面，將鍍層收集在燒杯中，加入過量濃硝酸置于電爐上加熱溶解鍍層，蒸干后，轉換為8mol/L HCl介質。將溶解液通過φ6mm×55mm的HDEHP樹脂柱，使用8mol/L鹽酸淋洗雜質核素，1mol/L HCl-0.2mol/L HF混合酸解吸Hf,將收集的解吸液蒸發濃集，并轉移至20ml液閃管中密封定量，獲得純度較高的175Hf測量源。分離流程對175Hf的化學收率>94%，對65Zn與56Co的去污因子分別達到5200與2300。分離后得到的無載體175Hf的純度較高，沒有181Hf和其他雜質核素的干擾，可用于175Hf半衰期測量。

著錄項

來源
《第四屆全國核化學與放射化學青年學術研討會》|2017年|77-78|共2頁
會議地點南京
作者
王秀鳳; 丁有錢; 張雄寓;
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作者單位

中國化學會;

中國核學會;

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會議組織
正文語種
原文格式 PDF
中圖分類 TL81;
關鍵詞
半衰期測量; 測量源; 高純175鉿; 制備工藝;
入庫時間 2022-08-17 10:12:44

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1. 高純175Hf的制備 [J] . 張雄寓 ,丁有錢 ,王秀鳳 . 中國原子能科學研究院年報 . 2016,第001期
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